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                      首頁 > 產品中心 > 氮化鎵(GaN)外延片

                      GaN-on-SiC for RF

                      產品詳情
                      尺寸 2"/3"/4"/6"
                      主要特點 • 極低的緩沖區漏電流
                      • 良好的均勻性和重復性
                      • 高電子遷移率
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