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                      首頁 > 產品中心 > 氮化鎵(GaN)代工

                      器件封裝

                      產品詳情
                      倒裝鍵合 芯片尺寸:5*5mm-5*5cm 厚度<2mm,溫度<450℃ 精度:±3μm,壓力<100kg,2寸晶圓對晶圓鍵合
                      晶圓鍵合 陽極鍵合、共晶鍵合(PbSn,AuSn,CuSn,AuSi等等)、膠鍵合(BCB,SU8,鍵合專用膠),對準精度±5μm
                      點膠 工作范圍≤300*300mm,膠量控制:容積式和氣壓式,膠水黏度<50kCPS,單次膠量<0.16900ml,時間設置范圍<9.999sec
                      貼片 銀漿、焊料
                      引線 球形焊、楔形焊;Au線,Al線
                      回流爐 真空:2mbar,溫度<450℃±0.05℃
                      平行封焊 各類金屬管殼,位置精度:±0.0381mm,壓力<5kg
                      TSV(硅通孔)工藝 1、通孔的形成;2、絕緣層、阻擋層和種子層的淀積;3、電鍍填充,去除和再布線;4、晶圓減??;5、鍵合、劃片
                      TGV(玻璃通孔工藝) 可完成打孔、沉積、填充再布線、減薄、鍵合劃片等。


                      案例展示

                      底層管芯與頂層管芯堆疊連接  Cu-Cu Metal Diffusion Bond

                      TSV(Cu&Sn鍵合)Process 

                      Ultra High Density TGV For MEMS

                       

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